2月21日,比利时微电子研究中心imec在旧金山ISSCC2026上,发布一款里程碑式7-bit175GS/sADC模拟数字转换器芯片,采样速度登顶业界领先水平。这款芯片采用5nmFinFET工艺打造,核心面积仅250×250μm²,每样本转换能耗低至2.2皮焦,在超高速、小尺寸、低功耗三大指标上同时实现突破。随着AI与云计算爆发,数据中心光通信网络对吞吐量需求持续攀升。传统高速ADC在突破100
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2月21日,比利时微电子研究中心imec在旧金山ISSCC2026上,发布一款里程碑式7-bit175GS/sADC模拟数字转换器芯片,采样速度登顶业界领先水平。这款芯片采用5nmFinFET工艺打造,核心面积仅250×250μm²,每样本转换能耗低至2.2皮焦,在超高速、小尺寸、低功耗三大指标上同时实现突破。随着AI与云计算爆发,数据中心光通信网络对吞吐量需求持续攀升。传统高速ADC在突破100
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